聯穎光電股份有限公司
基本資料 (主)
| 統一編號 | 53170263 |
| 查詢次數 | 741 次 |
| 現況 | 核准設立 |
| 組織型式 | 股份有限公司 |
| 負責人 | 賴明哲 |
| 設立日期 | 中華民國99年10月18日 |
| 變更日期 | 中華民國114年11月12日 |
| 資本額 | 19 億 |
| 設立地址 | 新竹縣創新一路10號3樓 |
主要業務類型
- 261300 半導體封裝及測試
- 269999 其他未分類電子零組件製造
董監事資料
| 序號 | 職稱 | 姓名 | 所代表法人 | 持有股份數 |
| 0001 | 董事長 | 賴明哲 | 聯華電子股份有限公司 | 148,112,434 |
| 0002 | 董事 | 洪圭鈞 | 聯華電子股份有限公司 | 148,112,434 |
| 0003 | 董事 | 王瑋哲 | 聯華電子股份有限公司 | 148,112,434 |
| 0004 | 監察人 | 彭志強 | 15,001 |
營業項目
CC01080 電子零組件製造業
F401010 國際貿易業
CC01060 有線通信機械器材製造業
CC01070 無線通信機械器材製造業
研究、設計、開發、製造及銷售下列產品：
(1)砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與擬晶性高電子遷移率
電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT RF Power A
mplifier & pHEMT RF Switch Device)
(2)砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAs based
Hetero-junction Bipolar Transistor Epiwafer)
(3)砷化銦鎵假晶式高速電子移動電晶體磊晶片(InGaAs
Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor Epiwafer)
(4)低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epiwafer）
(5)超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（High Voltage GaAs HBT Epiwafer）
(6)砷化鎵異質接面雙載子電晶體暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHE
MT Epiwafer)
(7)積體電路
(8)各種半導體零組件
(9)積體電路測試與包裝
F401010 國際貿易業
CC01060 有線通信機械器材製造業
CC01070 無線通信機械器材製造業
研究、設計、開發、製造及銷售下列產品：
(1)砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與擬晶性高電子遷移率
電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT RF Power A
mplifier & pHEMT RF Switch Device)
(2)砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAs based
Hetero-junction Bipolar Transistor Epiwafer)
(3)砷化銦鎵假晶式高速電子移動電晶體磊晶片(InGaAs
Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor Epiwafer)
(4)低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epiwafer）
(5)超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（High Voltage GaAs HBT Epiwafer）
(6)砷化鎵異質接面雙載子電晶體暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHE
MT Epiwafer)
(7)積體電路
(8)各種半導體零組件
(9)積體電路測試與包裝
產業動態
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歡迎託播
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